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APM2312AC-TUL

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小177KB,共10页
制造商American Power Devices Inc
标准
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APM2312AC-TUL概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

APM2312AC-TUL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称American Power Devices Inc
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.83 W
表面贴装YES

APM2312AC-TUL相似产品对比

APM2312AC-TUL APM2312AC-TR APM2312AC-TRL APM2312AC-TU
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
是否Rohs认证 符合 不符合 符合 不符合
厂商名称 American Power Devices Inc American Power Devices Inc American Power Devices Inc American Power Devices Inc
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
配置 Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5 A 5 A 5 A 5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.83 W 0.83 W 0.83 W 0.83 W
表面贴装 YES YES YES YES
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