MFM8516VI-15E,MFM8516VI-15E pdf中文资料,MFM8516VI-15E引脚图,MFM8516VI-15E电路-Datasheet-电子工程世界

MFM8516VI-15E: 产品描述Flash, 512KX8, 150ns, CDIP32, CERAMIC, VIL-32; 产品类别存储存储; 文件大小239KB，共25页; 制造商APTA Group Inc

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MFM8516VI-15E概述

Flash, 512KX8, 150ns, CDIP32, CERAMIC, VIL-32

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	APTA Group Inc
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.1
针数	32
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	150 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-CDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	40.64 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	8
端子数量	32
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.1
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	11.43 mm
部门规模	64K
最大待机电流	0.000115 A
最大压摆率	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	2.921 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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