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KM62V256CLTG-7L0

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
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文件大小149KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM62V256CLTG-7L0概述

Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

KM62V256CLTG-7L0规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明TSOP1,
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间70 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G28
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
宽度8 mm

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KM62V256C, KM62U256C Family
Document Title
32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
CMOS SRAM
Revision History
Revision No. History
0.0
0.1
1.0
2.0
3.0
Design target
Initial draft
Finalize
Revised
Revised
- One datasheet for commercial, extended, industrial product.
- Increased KM62V256C Family′s I
CC2
30 to 35mA.
- Increased tDW 50 to 60ns for KM62U256C Family.
- Remove SOP package from KM62V256C Family.
Revised
- Change datasheets format.
- Improved power dissipation : 0.7W→1W
Draft Data
February 12, 1993
November 2, 1993
September 24, 1994
August 12, 1995
April 1, 1997
Remark
Advance
Preliminary
Final
Final
Final
4.0
February 12, 1998
Final
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.
1
Revision 4.0
February 1998
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