Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | , WAFER |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 最长访问时间 | 6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| 内存密度 | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 字数 | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装等效代码 | WAFER |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.00001 A |
| 最大压摆率 | 0.045 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| N16D1618LPAW-75C | N16D1618LPAW-75I | |
|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, | Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | , WAFER | , WAFER |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 最长访问时间 | 6 ns | 6 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C |
| 组织 | 1MX16 | 1MX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装等效代码 | WAFER | WAFER |
| 电源 | 1.8 V | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | 4096 |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.00001 A | 0.00001 A |
| 最大压摆率 | 0.045 mA | 0.045 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | OTHER |
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