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AD625BD/+: 产品描述IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 50 uV OFFSET-MAX, 0.65 MHz BAND WIDTH, CDIP16, CERAMIC, DIP-16, Instrumentation Amplifier; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小93KB，共11页; 制造商ADI(亚德诺半导体); 官网地址https://www.analog.com

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AD625BD/+概述

IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 50 uV OFFSET-MAX, 0.65 MHz BAND WIDTH, CDIP16, CERAMIC, DIP-16, Instrumentation Amplifier

AD625BD/+规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP16,.3
针数	16
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.025 µA
标称带宽 (3dB)	0.65 MHz
最小共模抑制比	75 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.015 µA
最大输入失调电压	50 µV
JESD-30 代码	R-CDIP-T16
JESD-609代码	e0
长度	20.32 mm
负供电电压上限	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
最大非线性	0.008%
功能数量	1
端子数量	16
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	+-15 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.553 mm
标称压摆率	5 V/us
最大压摆率	5 mA
供电电压上限	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
技术	BIPOLAR
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压增益	10000
最小电压增益	1
宽度	7.62 mm

AD625BD/+相似产品对比

	AD625BD/+	AD625AE	AD625CCHIPS	AD625SE/883B
描述	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 50 uV OFFSET-MAX, 0.65 MHz BAND WIDTH, CDIP16, CERAMIC, DIP-16, Instrumentation Amplifier	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 200 uV OFFSET-MAX, 0.65 MHz BAND WIDTH, CQCC20, LCC-20, Instrumentation Amplifier	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 25 uV OFFSET-MAX, UUC15, DIE, Instrumentation Amplifier	Programmable Gain Instrumentation Amplifier
厂商名称	ADI(亚德诺半导体)	ADI(亚德诺半导体)	ADI(亚德诺半导体)	ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码	DIP	QLCC	DIE	QLCC
包装说明	DIP, DIP16,.3	LCC-20	DIE	QCCN, LCC20,.35SQ
针数	16	20	15	20
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.025 µA	0.05 µA	0.015 µA	0.05 µA
最小共模抑制比	75 dB	70 dB	80 dB	70 dB
最大输入失调电流 (IIO)	0.015 µA	0.035 µA	0.005 µA	0.035 µA
最大输入失调电压	50 µV	200 µV	25 µV	200 µV
JESD-30 代码	R-CDIP-T16	S-CQCC-N20	R-XUUC-N15	S-PQCC-N20
负供电电压上限	-18 V	-18 V	-18 V	-18 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V
最大非线性	0.008%	0.01%	0.005%	0.01%
功能数量	1	1	1	1
端子数量	16	20	15	20
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCN	DIE	QCCN
封装等效代码	DIP16,.3	LCC20,.35SQ	DIE OR CHIP	LCC20,.35SQ
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	UNCASED CHIP	CHIP CARRIER
电源	+-15 V	+-15 V	+-15 V	+-15 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称压摆率	5 V/us	5 V/us	5 V/us	5 V/us
最大压摆率	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA
供电电压上限	18 V	18 V	18 V	18 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	MILITARY
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	QUAD	UPPER	QUAD
最大电压增益	10000	10000	10000	10000
最小电压增益	1	1	1	1
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合
标称带宽 (3dB)	0.65 MHz	0.65 MHz	-	0.65 MHz
JESD-609代码	e0	e0	-	e0
长度	20.32 mm	8.89 mm	-	8.89 mm
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT APPLICABLE
座面最大高度	3.553 mm	2.54 mm	-	2.54 mm
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	-	1.27 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT APPLICABLE
宽度	7.62 mm	8.89 mm	-	8.89 mm

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