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BZV55C9.1BSB

产品描述Zener Diode, 9.1V V(Z), 2.16%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LL-34, MINIMELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小183KB,共5页
制造商Rectron
标准  
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BZV55C9.1BSB概述

Zener Diode, 9.1V V(Z), 2.16%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, LL-34, MINIMELF-2

BZV55C9.1BSB规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rectron
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)265
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压9.1 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.16%
工作测试电流5 mA

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BZV55C-BS
SERIES
4.7V to 36V
SILICON PLANAR ZENER DIODE
FEATURES
* Zener Voltage Range 4.7 to 36 Volts
* LL-34 (Mini-MELF) Package
* Hermetically Sealed, Glass Silicon Diodes
SOD-80C
.059(1.50)
.056(1.42)
.112(0.30)
R.004(0.10)
.112(0.30)
.057(1.45)
.053(1.35)
.146(3.70)
.130(3.30)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
o
C ambient temperature unless otherwise specified.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGES
( @ T
A
= 25
o
C unless otherwise noted )
RATINGS
Average Forward Current (averaged Over any 20 ms period)
Repetitive Peak Forward Current
Total Power Dissipation up to T
flange
=50
O
C
Up to Ta=50
O
C and Mounted on a Ceramic Substrate of 10mm x 10
mm x 0.6mm
Non-Reperitive Peak Reverse Power Dissipation t=100us,T
J
=150
O
C
Storage Temperature
Junction Temperature
THERMAL RESISTANCE
From Junction to tie-point(flanges)
Form Junction to Ambient when Mounted on a Ceramic Substrate of
10mm x 10mm x 0.6mm
Rth(j-tp)
Rth(j-a)
0.30
0.38
K/mW
K/mW
VD 2007-11
SYMBOL
IF(av)
IFRM
Ptot
Ptot
P
ZSM
Tstg
T
J
VALUE
250
250
500
400
30
-65 to +200
200
UNITS
mA
mA
mW
mW
W
O
C
C
O
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