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2N6849TX

产品描述6.5A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小166KB,共5页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2N6849TX概述

6.5A, 100V, 0.3ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF

2N6849TX规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性RADIATION HARDENED
雪崩能效等级(Eas)500 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)25 A
认证状态Not Qualified
参考标准MILITARY STANDARD (USA)
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)280 ns
最大开启时间(吨)200 ns
Base Number Matches1
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