EDO DRAM, 8MX8, 65ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间 | 65 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
长度 | 20.95 mm |
内存密度 | 67108864 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 8388608 words |
字数代码 | 8000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 8MX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 10.16 mm |
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