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K6T4008V1B-VF85T

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32
产品类别存储    存储   
文件大小145KB,共9页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K6T4008V1B-VF85T概述

Standard SRAM, 512KX8, 85ns, CMOS, PDSO32

K6T4008V1B-VF85T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
包装说明TSOP, TSOP32,.46
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流2 V
最大压摆率0.045 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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