IC OP-AMP, 800 uV OFFSET-MAX, 1900 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 20 µA |
| 标称共模抑制比 | 100 dB |
| 频率补偿 | YES (AVCL>=10) |
| 最大输入失调电压 | 800 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -7 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 包装方法 | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-5 V |
| 可编程功率 | YES |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最小摆率 | 200 V/us |
| 标称压摆率 | 350 V/us |
| 最大压摆率 | 18 mA |
| 供电电压上限 | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1900000 kHz |
| 最小电压增益 | 7070 |
| 宽带 | YES |
| 宽度 | 7.62 mm |
| CLC425AJ | CLC425MDC | CLC425AJM5X | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC OP-AMP, 800 uV OFFSET-MAX, 1900 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERDIP-8, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 800 uV OFFSET-MAX, 1900 MHz BAND WIDTH, UUC, DIE, Operational Amplifier | IC OP-AMP, 800 uV OFFSET-MAX, 1900 MHz BAND WIDTH, PDSO5, SOT-23, 5 PIN, Operational Amplifier |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） | National Semiconductor（TI ） |
| 零件包装代码 | DIP | WAFER | SOT-23 |
| 包装说明 | DIP, DIP8,.3 | DIE, | LSSOP, TSOP5/6,.11,37 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 标称共模抑制比 | 100 dB | 100 dB | 100 dB |
| 最大输入失调电压 | 800 µV | 800 µV | 800 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T8 | X-XUUC-N | R-PDSO-G5 |
| 负供电电压上限 | -7 V | -7 V | -7 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -5 V | -5 V | -5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | UNSPECIFIED | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIE | LSSOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | UNSPECIFIED | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | UNCASED CHIP | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 350 V/us | 350 V/us | 350 V/us |
| 供电电压上限 | 7 V | 7 V | 7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | UPPER | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1900000 kHz | 1900000 kHz | 1900000 kHz |
| 针数 | 8 | - | 5 |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | - | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 20 µA | - | 20 µA |
| 频率补偿 | YES (AVCL>=10) | - | YES (AVCL>=10) |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 低-失调 | NO | - | NO |
| 端子数量 | 8 | - | 5 |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | - | TSOP5/6,.11,37 |
| 包装方法 | TUBE | - | TAPE AND REEL |
| 电源 | +-5 V | - | +-5 V |
| 可编程功率 | YES | - | YES |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 1.45 mm |
| 最小摆率 | 200 V/us | - | 200 V/us |
| 最大压摆率 | 18 mA | - | 18 mA |
| 技术 | BIPOLAR | - | BIPOLAR |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 0.95 mm |
| 最小电压增益 | 7070 | - | 7070 |
| 宽带 | YES | - | YES |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 1.65 mm |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | - | 20 µA | 20 µA |
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