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GS8160EV18BGT-200I

产品描述Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, TQFP-100
产品类别存储    存储   
文件大小592KB,共22页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
标准  
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GS8160EV18BGT-200I概述

Cache SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, TQFP-100

GS8160EV18BGT-200I规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称GSI Technology
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间6.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码R-PQFP-G100
JESD-609代码e3
长度20 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)2 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层PURE MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
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