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IXTD120N25P-88

产品描述Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.525 X 0.281 INCH, DIE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB,共1页
制造商IXYS
标准  
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IXTD120N25P-88概述

Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.525 X 0.281 INCH, DIE

IXTD120N25P-88规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码DIE
包装说明0.525 X 0.281 INCH, DIE
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量1
工作模式ENHANCEMENT MODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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