Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HYM321000S-60

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HYM321000S-60: 产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72; 产品类别存储存储; 文件大小80KB，共10页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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HYM321000S-60概述

Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

HYM321000S-60规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SSIM72
针数	72
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度	16
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	20.32 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	SINGLE

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32-Bit Dynamic RAM Module

(2M

16-Bit Dynamic RAM Module)

HYM 321000S/GS-50/-60

Advanced Information

•

1 048 576 words by 32-bit organization

(alternative 2 097 152 words by 16-bit)

Fast access and cycle time

50 ns access time

90 ns cycle time (-50 version)

60 ns access time

110 ns cycle time (-60 version)

Fast page mode capability with

35 ns cycle time (-50 version)

40 ns cycle time (-60 version)

Single + 5 V (± 10 %) supply

Low power dissipation

max 2200 mW active (-50 version)

max. 1980 mW active (-60 version)

CMOS – 11 mW standby

TTL

– 22 mW standby

CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh, Hidden refresh

2 decoupling capacitors mounted on substrate

All inputs, outputs and clock fully TTL compatible

72 pin Single in-Line Memory Module

Utilizes two 1M

16 -DRAMs in SOJ-42 packages

1024 refresh cycles/16 ms

Optimized for use in byte-write non-parity applications

Tin-Lead contact pads HYM 321000S

Gold-Lead contact pads HYM 321000GS

single sided module with 20.32 mm (800 mil) height

•

Semiconductor Group

12.95

HYM321000S-60相似产品对比

	HYM321000S-60	HYM321000S-50	HYM321000GS-60
描述	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72	Fast Page DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72
针数	72	72	72
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns	50 ns	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度	16	16	16
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72
内存密度	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	72	72	72
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX32	1MX32	1MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SSIM72	SSIM72	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024
座面最大高度	20.32 mm	20.32 mm	20.32 mm
自我刷新	NO	NO	NO
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.36 mA	0.4 mA	0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE

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