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HY62V256BLLT1-12

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28
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文件大小329KB,共10页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62V256BLLT1-12概述

Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

HY62V256BLLT1-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
其他特性BATTERY BACKUP
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度11.8 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP28,.53,22
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.000015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.55 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm

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