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HY62V256BLLJ-I85

产品描述Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28
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文件大小493KB,共10页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62V256BLLJ-I85概述

Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28

HY62V256BLLJ-I85规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明SOP, SOP28,.5
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.00002 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
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