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HY62UF16406D-SM70I

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48
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文件大小271KB,共10页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY62UF16406D-SM70I概述

Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48

HY62UF16406D-SM70I规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,30
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
JESD-609代码e0
长度8 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.1 mm
最大待机电流0.000006 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6.1 mm

HY62UF16406D-SM70I相似产品对比

HY62UF16406D-SM70I HY62UF16406D-DM55I HY62UF16406D-DM70I HY62UF16406D-SM55I
描述 Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30
针数 48 48 48 48
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 70 ns 55 ns 70 ns 55 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端子数量 48 48 48 48
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm 1.1 mm
最大待机电流 0.000006 A 0.000012 A 0.000012 A 0.000006 A
最小待机电流 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大压摆率 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 6.1 mm 6.1 mm 6.1 mm 6.1 mm
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