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IRF9230-JQR-BR1

产品描述Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小74KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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IRF9230-JQR-BR1概述

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3

IRF9230-JQR-BR1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)66 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)6.5 A
最大漏源导通电阻0.92 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)28 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRF9230-JQR-BR1相似产品对比

IRF9230-JQR-BR1 IRF9230 IRF9230R1 IRF9230-JQR-B
描述 Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3
是否Rohs认证 符合 符合 符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 66 mJ 66 mJ 66 mJ 66 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V 200 V
最大漏极电流 (ID) 6.5 A 6.5 A 6.5 A 6.5 A
最大漏源导通电阻 0.92 Ω 0.92 Ω 0.92 Ω 0.92 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 28 A 28 A 28 A 28 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
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