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IFP3306B

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共1页
制造商InterFET
官网地址http://www.interfet.com/
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IFP3306B概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

IFP3306B规格参数

参数名称属性值
厂商名称InterFET
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.4 A
最大漏源导通电阻14 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)8 pF
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型P-CHANNEL
功耗环境最大值5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IFP3306B相似产品对比

IFP3306B IFP3306F
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
厂商名称 InterFET InterFET
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 0.4 A 0.09 A
最大漏源导通电阻 14 Ω 14 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 8 pF 8 pF
JEDEC-95代码 TO-39 TO-236
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 WIRE GULL WING
端子位置 BOTTOM DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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