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MH2M04BJA-10

产品描述Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30
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文件大小309KB,共10页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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MH2M04BJA-10概述

Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30

MH2M04BJA-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码SIMM
包装说明, SIP30,.2
针数30
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间100 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-T30
JESD-609代码e0
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量30
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码SIP30,.2
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度21.082 mm
最大待机电流0.004 A
最大压摆率0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MH2M04BJA-10相似产品对比

MH2M04BJA-10 MH2M04BJ-7 MH2M04BJA-8 MH2M04BJA-7 MH2M04BJ-10 MH2M04BJ-8
描述 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 70ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, SIMM-30 Fast Page DRAM Module, 1MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 , SIP30,.2 , SIP30,.2 SIMM, SIM30 SIMM, SIM30
针数 30 30 30 30 30 30
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE FAST PAGE
最长访问时间 100 ns 70 ns 80 ns 70 ns 100 ns 80 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-T30 R-XSMA-T30 R-XSMA-N30 R-XSMA-N30
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 30 30 30 30 30 30
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIP30,.2 SIM30 SIP30,.2 SIP30,.2 SIM30 SIM30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512 512 512
座面最大高度 21.082 mm 20.32 mm 21.082 mm 21.082 mm 20.32 mm 20.32 mm
最大待机电流 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 0.48 mA 0.64 mA 0.56 mA 0.64 mA 0.48 mA 0.56 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
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