MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MJE1320
NPN Silicon Power Transistor
Switchmode Series
This transistor is designed for high–voltage, power switching in inductive circuits
where RBSOA and breakdown voltage are critical. They are particularly suited for
line–operated switchmode applications.
Typical Applications:
•
Fluorescent Lamp Ballasts
•
Inverters
•
Solenoid and Relay Drivers
•
Motor Controls
•
Deflection Circuits
Features:
•
High VCEV Capability (1800 Volts)
•
Low Saturation Voltage
•
100
_
C Performance Specified for:
Reverse–Biased SOA with Inductive Loads
Switching Times with Inductive Loads
Saturation Voltages
Leakage Currents
MAXIMUM RATINGS
Designer's
™
Data Sheet
POWER TRANSISTOR
2 AMPERES
900 VOLTS
80 WATTS
CASE 221A–06
TO–220AB
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
Symbol
Value
900
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
VCEO(sus)
VCEV
VEB
IC
ICM
IB
IBM
PD
1800
9
2
5
Collector Current — Continuous
Peak(1)
Base Current — Continuous
Peak(1)
1.5
2.5
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
Derate above 25
_
C
80
32
0.64
Watts
W/
_
C
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
TL
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
1.56
275
_
C/W
_
C
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes: 1/8″ from Case for 5 Seconds
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
v
10%.
Designer’s Data for “Worst Case” Conditions
— The Designer’s Data Sheet permits the design of most circuits entirely from the information presented. SOA Limit
curves — representing boundaries on device characteristics — are given to facilitate “worst case” design.
3–620
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ÎÎÎ Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300
µs.
Duty Cycle
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS(1)
SECOND BREAKDOWN
OFF CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Crossover Time
Storage Time
Inductive Load, Clamped (Table 2)
Fall Time
Storage Time
Rise Time
Delay Time
Resistive Load (Table 1)
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, ftest = 1 MHz)
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1 Adc, IB = 0.5 Adc)
(IC = 2 Adc, IB = 1 Adc)
(IC = 1 Adc, IB = 0.5 Adc, TC = 100
_
C)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1 Adc, IB = 0.5 Adc)
(IC = 2 Adc, IB = 1 Adc)
(IC = 1 Adc, IB = 0.5 Adc, TC = 100
_
C)
DC Current Gain (VCE = 5 Vdc)
Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased
Second Breakdown Collector Current with base forward biased
Emitter Cutoff Current
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc)
(VCEV = Rated Value, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 100
_
C)
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 50 mA, IB = 0)
IC = 1 A, Vclamp = 400 Vdc,
A
Vd
VBE(off) = 2 Vdc, IB1 = 0.5 Adc
VCC = 250 Vdc, IC = 1 A
IB1 = IB2 = 0 5 Adc
0.5
tp = 25
µs,
Duty Cycle
2%
Characteristic
v
v
2%.
TC = 100
_
C
TC = 25
_
C
IC = 2 Adc
IC = 1 Adc
VCEO(sus)
VCE(sat)
VBE(sat)
Symbol
RBSOA
IEBO
ICEV
Cob
hFE
IS/b
tsv
tsv
td
tc
tc
ts
tr
tf
Min
900
2.5
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
0.9
0.15
0.18
0.3
0.3
Typ
See Figure 14
See Figure 13
3.5
3.7
2.2
2.8
0.8
0.8
0.1
4.5
7
80
—
—
—
—
4
10.5
0.25
0.25
2.5
Max
1.5
2.8
1.5
1
2.5
1.5
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
MJE1320
3–621
mAdc
mAdc
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
pF
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
—
—
MJE1320
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
70
50
hFE, DC CURRENT GAIN
30
20
10
7
5
3
2
1
0.05 0.07 0.1
TC = 100°C
25°C
VCE = 5 V
2.8
2.4
IC = 1 A
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1
2
IB, BASE CURRENT (AMP)
5
7
10
TJ = 25°C
2 A 2.5 A
2
0.2 0.3
0.5 0.7 1
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3
5
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector Saturation Region
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.3
1.1
IC/IB = 2
TJ = 25°C
1.6
IC/IB = 2
1.2
0.9
0.8
TJ = 100°C
0.7
100°C
0.4
25°C
0
0.25 0.3
0.4
0.5
0.7
1
1.5
2
2.5
0.5
0.3
0.25 0.3
0.4
0.5
0.7
1
1.5
2
2.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 3. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base–Emitter Saturation Voltage
10K
VCE = 250 V
IC, COLLECTOR CURRENT (
µ
A)
1K
C, CAPACITANCE (pF)
TJ = 150°C
125°C
100°C
75°C
10
25°C
1
REVERSE
0.1
– 0.4
FORWARD
+ 0.6
10K
5K
3K
2K
1K
500
300
200
100
50
30
20
10
0.2 0.3 0.5
Cob
Cib
f = 1 MHz
TJ = 25°C
100
0
– 0.2
+ 0.2
+ 0.4
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1
2 3 5 10 20 30 50 100 200
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
500 1K 2K
Figure 5. Collector Cutoff Region
Figure 6. Capacitance Variation
3–622
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJE1320
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
IC pk
90% VCE(pk)
IC
tsv
trv
tc
10% VCE(pk)
90% IB1
10%
IC pk
2% IC
10
VCE(pk)
t SV, STORAGE TIME (
µs)
90% IC(pk)
tfi
tti
7
5
3
2
TJ = 100°C
IC/IB1 = 2
1
0.7
TIME
0.5
0.3
0.5
0.7
1
2
3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
6
VBE(off) = 1 V
2V
3V
VCE
IB
Figure 7. Inductive Switching Measurements
6
5
TC, CROSSOVER TIME (
µ
s)
VBE(off) = 3 V
3
2
2V
1V
t fi , FALL TIME (
µ
s)
3
2
6
5
Figure 8. Inductive Storage Time
VBE(off) = 3 V
2V
1V
1
0.7
0.5
0.3
0.3
1
0.7
0.5
0.3
0.5
3
0.7
1
2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
6
0.3
0.5
0.7
1
2
3
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
6
Figure 9. Inductive Crossover Time
td and tr
Table 1. Resistive Load Switching
Figure 10. Inductive Fall Time
ts and tf
20 100
2N6191
10
µF
H.P. 214
OR EQUIV.
P.G.
50
500
1
µF
100
–V
0V
A
50
*IB
+V
–5 V
T.U.T.
*IC
VCC
RB1 = 22
Ω
RB2 = 10
Ω
RB2 = 0
Ω
RL
+
0.02
µF
0.02
µF
RB1
A
RB2
2N5337
+ Vdc
≈
11 Vdc
0V
H.P. 214
OR EQUIV.
P.G.
≈
– 35 V
*IC
*IB
T.U.T.
RB = 22
Ω
50
RL
VCC
Vin
0V
≈
11 V
tr
≤
15 ns
VCC = 250 Vdc
RL = 250
Ω
IC = 1 Adc
IB = 0.5 Adc
*Tektronix AM503
*P6302
or Equivalent
VCC = 250 Vdc
RL = 250
Ω
IC = 1 Adc
IB1 = 0.5 Adc
IB2 = 0.5 Adc
For VBE(off) = 5 V
Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–623
MJE1320
Table 2. Inductive Load Switching
0.02
µF
H.P. 214
OR EQUIV.
P.G.
0
≈
– 35 V
0.02
µF
50
500
T1
0V
–V
A
T1
T.U.T.
MR856
Lcoil (ICpk)
VCC
*IB
50
Vclamp
VCC
IB
RBSOA
L = 1.1 mH
RB2 = 0
VCC = 20 Volts
RB1 selected for desired IB1
IB2
IB1
+V
IC
*IC
L
VCE
VCE(pk)
1
µF
+ –
100
–V
IC(pk)
RB2
2N5337
+
–
+ V
≈
11 V
100
2N6191
20
10
µF
RB1
A
[
T1 adjusted to obtain IC(pk)
V(BR)CEO
L = 10 mH
RB2 =
VCC = 20 Volts
Inductive Switching
L = 1.1 mH
RB2 = 0
VCC = 20 Volts
RB1 selected for desired IB1
Scope — Tektronix
7403 or
Equivalent
R
*Tektronix
*P–6042
or
*Equivalent
Note: Adjust – V to obtain desired VBE(off) at Point A.
SAFE OPERATING AREA INFORMATION
FORWARD BIAS
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 12 is based on TC = 25
_
C; T J(pk) is
variable depending on power level. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% but must be derated
when TC
≥
25
_
C. Second breakdown limitations do not der-
ate the same as thermal limitations. Allowable current at the
voltages shown on Figure 12 may be found at any case tem-
perature by using the appropriate curve on Figure 11.
T J(pk) may be calculated from the data in Figure 14. At
high case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown.
REVERSE BIAS
For inductive loads, high voltage and high current must be
sustained simultaneously during turn–off, in most cases, with
the base–to–emitter junction reverse biased. Under these
conditions the collector voltage must be held to a safe level
at or below a specific value of collector current. This can be
accomplished by several means such as active clamping,
RC snubbing, load line shaping, etc. The safe level for these
devices is specified as Reverse Bias Safe Operating Area
and represents the voltage–current condition allowable dur-
ing reverse biased turnoff. This rating is verified under
clamped conditions so that the device is never subjected to
an avalanche mode. Figure 13 gives the RBSOA character-
istics.
3–624
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
