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SSI75T201-IP

产品描述DTMF Signaling Circuit, CMOS, PDIP22,
产品类别无线/射频/通信    电信电路   
文件大小410KB,共8页
制造商Silicon Systems Inc
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SSI75T201-IP概述

DTMF Signaling Circuit, CMOS, PDIP22,

SSI75T201-IP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Silicon Systems Inc
包装说明DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-PDIP-T22
JESD-609代码e0
端子数量22
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源12 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率50 mA
标称供电电压12 V
表面贴装NO
技术CMOS
电信集成电路类型DTMF SIGNALING CIRCUIT
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

SSI75T201-IP相似产品对比

SSI75T201-IP SSI75T201-CP SSI75T201-CD SSI75T201-ID
描述 DTMF Signaling Circuit, CMOS, PDIP22, DTMF Signaling Circuit, CMOS, PDIP22, DTMF Signaling Circuit, CMOS, CDIP22, DTMF Signaling Circuit, CMOS, CDIP22,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Silicon Systems Inc Silicon Systems Inc Silicon Systems Inc Silicon Systems Inc
包装说明 DIP, DIP22,.4 DIP, DIP22,.4 DIP, DIP22,.4 DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-PDIP-T22 R-PDIP-T22 R-XDIP-T22 R-XDIP-T22
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
端子数量 22 22 22 22
最高工作温度 85 °C 70 °C 70 °C 85 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP22,.4 DIP22,.4 DIP22,.4 DIP22,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
电信集成电路类型 DTMF SIGNALING CIRCUIT DTMF SIGNALING CIRCUIT DTMF SIGNALING CIRCUIT DTMF SIGNALING CIRCUIT
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
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