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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N6383

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2N6383: 产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小395KB，共5页; 制造商Advanced Semiconductor, Inc.

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2N6383概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

2N6383规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TO-204AA
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数	2
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	10 A
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	1000
JEDEC-95代码	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	100 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	20 MHz
Base Number Matches	1

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