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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BD137-16
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BD137-16

产品描述1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小40KB，共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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BD137-16概述

1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

BD137-16规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)12.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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BD135/137/139
BD135/137/139
Medium Power Linear and Switching
Applications
• Complement to BD136, BD138 and BD140 respectively
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1. Emitter
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Parameter
Collector-Base Voltage
: BD135
: BD137
: BD139
: BD135
: BD137
: BD139
Value
45
60
80
45
60
80
5
1.5
3.0
0.5
12.5
1.25
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
P
C
T
J
T
STG
Emitter-Base Voltage
Collector Current (DC)
Collector Current (Pulse)
Base Current
Collector Dissipation (T
C
=25°C)
Collector Dissipation (T
a
=25°C)
Junction Temperature
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
CEO
(sus)
Parameter
Collector-Emitter Sustaining Voltage
: BD135
: BD137
: BD139
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
: ALL DEVICE
: ALL DEVICE
: BD135
: BD137, BD139
Test Condition
I
C
= 30mA, I
B
= 0
Min.
45
60
80
0.1
10
25
25
40
40
Typ.
Max.
Units
V
V
V
µA
µA
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
V
CB
= 30V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 5mA
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 2V, I
C
= 150mA
I
C
= 500mA, I
B
= 50mA
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
250
160
0.5
1
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter ON Voltage
h
FE
Classification
Classification
h
FE3
©2000 Fairchild Semiconductor International
6
40 ~ 100
10
63 ~ 160
16
100 ~ 250
Rev. A, February 2000

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描述 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 1.5 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 DualChannel 300mALowDropout Linear Regulator 1.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 1.5 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 1.5 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 1.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild - - Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild
Reach Compliance Code unknown unknown unknown - unknown unknown unknown unknown unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A 1.5 A - 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 60 V 45 V 60 V - 80 V 45 V 60 V 45 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 63 63 - 40 100 40 40 63
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126 - TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 - 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN - NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 12.5 W 13 W 13 W - 13 W 13 W 13 W 13 W 13 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO - NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD - TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 50 MHz 250 MHz - 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz 250 MHz

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