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BST82-T

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小368KB,共14页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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BST82-T概述

Small Signal Field-Effect Transistor

BST82-T规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (ID)0.175 A
最大漏源导通电阻10 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)6 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

BST82-T相似产品对比

BST82-T 933733110235 933733110215 BST82T/R BST82
描述 Small Signal Field-Effect Transistor Small Signal Field-Effect Transistor Small Signal Field-Effect Transistor Small Signal Field-Effect Transistor Small Signal Field-Effect Transistor
厂商名称 Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V 100 V 100 V 80 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 0.175 A 0.19 A 0.19 A 0.175 A 0.19 A
最大漏源导通电阻 10 Ω 10 Ω 10 Ω 10 Ω 10 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 6 pF 10 pF 10 pF 6 pF 10 pF
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合
其他特性 - LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE - LOGIC LEVEL COMPATIBLE
JESD-609代码 - e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 - 1 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 -
参考标准 - IEC-60134 IEC-60134 - IEC-60134
端子面层 - Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -

 
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