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BF722

产品描述0.05A, 250V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小47KB,共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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BF722概述

0.05A, 250V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

BF722规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.05 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1.5 W
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

BF722相似产品对比

BF722 BF722TC BF722TA
描述 0.05A, 250V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 0.05A, 250V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 0.05A, 250V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
厂商名称 Diodes Diodes Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A 0.05 A
集电极-发射极最大电压 250 V 250 V 250 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 50 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1 1
端子数量 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max - 0.6 V 0.6 V

 
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