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PDM41024SA12SOATY

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, SOJ-32
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文件大小231KB,共8页
制造商IXYS
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PDM41024SA12SOATY概述

Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, SOJ-32

PDM41024SA12SOATY规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IXYS
包装说明SOJ-32
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最小待机电流4.5 V
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
问个非常非常业余的问题
最近在看数电,好多问题都处在模棱两可的状态,比如TTL反相器,里面有句话是“由于T1的集电极回路电阻是R2和T2的b-c结反向电阻之和,阻值非常大,因而T1工作在深度饱和状态”,不清楚的是阻值非常大和深度饱和状态有因果关系吗?我知道我的问题会很白,不在学校了,自学真的很难:faint:...
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