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BC857AT/R

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小171KB,共5页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
标准
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BC857AT/R概述

Transistor

BC857AT/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)125
JESD-609代码e3
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT)100 MHz

BC857AT/R相似产品对比

BC857AT/R BC857T/R BC857BT/R
描述 Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 125 125 220
JESD-609代码 e3 e3 e3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W 0.3 W
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
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