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JAN2N3420

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小80KB,共2页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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JAN2N3420概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin

JAN2N3420规格参数

参数名称属性值
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
基于收集器的最大容量150 pF
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
最大关闭时间(toff)1200 ns
最大开启时间(吨)300 ns
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

 
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