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2SA1303P

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小83KB,共2页
制造商Inchange Semiconductor
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2SA1303P概述

Transistor

2SA1303P规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

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INCHANGE Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistor
2SA1303
DESCRIPTION
·High
Collector-Emitter Breakdown Voltage-
V
(BR)CEO
= -150V(Min)
·Good
Linearity of h
FE
·Complement
to Type 2SC3284
APPLICATIONS
·Designed
for audio and general purpose applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
a
=25
℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
V
CBO
Collector-Base Voltage
-150
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
-150
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage
-5
V
I
C
Collector Current-Continuous
-14
A
I
B
B
Base Current-Continuous
Collector Power Dissipation
@ T
C
=25℃
Junction Temperature
-3
A
P
C
125
W
T
J
150
T
stg
Storage Temperature Range
-55~150

2SA1303P相似产品对比

2SA1303P 2SA1303O 2SA1303Y
描述 Transistor Transistor Transistor
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
Base Number Matches 1 1 1

 
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