MT46H16M16LFBF-75AAT:H,MT46H16M16LFBF-75AAT:H pdf中文资料,MT46H16M16LFBF-75AAT:H引脚图,MT46H16M16LFBF-75AAT:H电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT46H16M16LFBF-75AAT:H

MT46H16M16LFBF-75AAT:H: 产品描述DDR DRAM,; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共93页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

下载文档详细参数选型对比全文预览

MT46H16M16LFBF-75AAT:H概述

DDR DRAM,

MT46H16M16LFBF-75AAT:H规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Micron Technology
包装说明	VFBGA,
Reach Compliance Code	compliant
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	9 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	105 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度	1 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

MT46H16M16LFBF-75AAT:H相似产品对比

	MT46H16M16LFBF-75AAT:H	MT46H16M16LFBF-6AAT:H	MT46H16M16LFBF-75AIT:H	MT46H16M16LFB5-5AT:H	MT46H16M16LFB5-5IT:H	MT46H16M16LGBF-5IT:H
描述	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,
包装说明	VFBGA,	VFBGA,	VFBGA,	,	,	VFBGA,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	-	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	-	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	R-PBGA-B60	-	-	R-PBGA-B60
长度	9 mm	9 mm	9 mm	-	-	9 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	-	-	268435456 bit
内存宽度	16	16	16	-	-	16
功能数量	1	1	1	-	-	1
端口数量	1	1	1	-	-	1
端子数量	60	60	60	-	-	60
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	-	-	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	-	-	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	-	SYNCHRONOUS
最高工作温度	105 °C	105 °C	85 °C	-	-	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-	-40 °C
组织	16MX16	16MX16	16MX16	-	-	16MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA	VFBGA	VFBGA	-	-	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	-	-	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度	1 mm	1 mm	1 mm	-	-	1 mm
自我刷新	YES	YES	YES	-	-	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	-	-	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	-	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	-	-	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	-	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	-	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-	-	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	-	-	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	-	-	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	-	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	-	-	8 mm
ECCN代码	-	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99

推荐资源

L-1630／L-1640型精密高速车床电气原理图电路

简单的RS-232测试电路一

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多