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2N4398: 产品描述TRANSISTOR 30 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, TO-3, 2 PIN, BIP General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小48KB，共1页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TRANSISTOR 30 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, TO-3, 2 PIN, BIP General Purpose Power

	2N4398	2SD873	2SC2137
描述	TRANSISTOR 30 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3, TO-3, 2 PIN, BIP General Purpose Power	TRANSISTOR 16 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,7A I(C),TO-3
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	,
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
最大集电极电流 (IC)	30 A	16 A	7 A
配置	SINGLE	SINGLE	Single
最小直流电流增益 (hFE)	15	5	10
JESD-609代码	e0	e0	e0
极性/信道类型	PNP	NPN	NPN
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)	2 MHz	3 MHz	6 MHz
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	-
元件数量	1	1	-
端子数量	2	2	-
最高工作温度	175 °C	-	140 °C
封装主体材料	METAL	METAL	-
封装形状	ROUND	ROUND	-
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	-
最大功率耗散 (Abs)	5 W	-	80 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	-
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	-
Base Number Matches	1	1	-

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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