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SST29LE512-200-4C-U2

产品描述EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, DIE
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文件大小306KB,共26页
制造商Silicon Laboratories Inc
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SST29LE512-200-4C-U2概述

EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, DIE

SST29LE512-200-4C-U2规格参数

参数名称属性值
厂商名称Silicon Laboratories Inc
零件包装代码DIE
包装说明DIE,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
JESD-30 代码X-XUUC-N
内存密度524288 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIE
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
最长写入周期时间 (tWC)10 ms

SST29LE512-200-4C-U2相似产品对比

SST29LE512-200-4C-U2 SST29EE512-90-4C-U2 SST29VE512-250-4C-U2
描述 EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, DIE EEPROM, 64KX8, 90ns, Parallel, CMOS, DIE EEPROM, 64KX8, 250ns, Parallel, CMOS, DIE
厂商名称 Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc
零件包装代码 DIE DIE DIE
包装说明 DIE, DIE, DIE,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 200 ns 90 ns 250 ns
JESD-30 代码 X-XUUC-N X-XUUC-N X-XUUC-N
内存密度 524288 bit 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
字数 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIE DIE DIE
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 3 V 5 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 5.5 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 4.5 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 5 V 3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms 10 ms
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