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HSU277TRF-E

产品描述SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, ROHS COMPLIANT, URP, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HSU277TRF-E概述

SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, ROHS COMPLIANT, URP, 2 PIN

HSU277TRF-E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
最大二极管电容1.2 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
频带VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
表面贴装YES
技术PLANAR DOPED BARRIER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

HSU277TRF-E相似产品对比

HSU277TRF-E HSU277TRF-EQ
描述 SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE, ROHS COMPLIANT, URP, 2 PIN SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
最大二极管电容 1.2 pF 1.2 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 MIXER DIODE MIXER DIODE
频带 VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码 R-PDSO-G2 R-PDSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
表面贴装 YES YES
技术 PLANAR DOPED BARRIER PLANAR DOPED BARRIER
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL

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