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GS8342T18AE-300M: 产品描述DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165; 产品类别存储存储; 文件大小384KB，共32页; 制造商GSI Technology; 官网地址http://www.gsitechnology.com/

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GS8342T18AE-300M概述

DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165

GS8342T18AE-300M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	GSI Technology
零件包装代码	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)	300 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165
长度	17 mm
内存密度	37748736 bit
内存集成电路类型	DDR SRAM
内存宽度	18
功能数量	1
端子数量	165
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm
最大待机电流	0.285 A
最小待机电流	1.7 V
最大压摆率	0.7 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	15 mm

GS8342T18AE-300M相似产品对比

	GS8342T18AE-300M	GS8342T08AE-300MT	GS8342T36AE-300M	GS8342T36AE-300MT	GS8342T18AE-300MT	GS8342T09AE-300MT	GS8342T08AE-300M	GS8342T09AE-300M
描述	DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	DDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	DDR SRAM, 4MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	DDR SRAM, 4MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165	DDR SRAM, 4MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology	GSI Technology
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40	LBGA, BGA165,11X15,40
针数	165	165	165	165	165	165	165	165
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A001.A.2.C
最长访问时间	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE	PIPELINED ARCHITECTURE, LATE WRITE
最大时钟频率 (fCLK)	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165	R-PBGA-B165
长度	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm	17 mm
内存密度	37748736 bit	33554432 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	37748736 bit	33554432 bit	37748736 bi
内存集成电路类型	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM	DDR SRAM
内存宽度	18	8	36	36	18	9	8	9
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	165	165	165	165	165	165	165	165
字数	2097152 words	4194304 words	1048576 words	1048576 words	2097152 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	2000000	4000000	1000000	1000000	2000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2MX18	4MX8	1MX36	1MX36	2MX18	4MX9	4MX8	4MX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA
封装等效代码	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V	1.5/1.8,1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm	1.5 mm
最大待机电流	0.285 A	0.285 A	0.285 A	0.285 A	0.285 A	0.285 A	0.285 A	0.285 A
最小待机电流	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
最大压摆率	0.7 mA	0.65 mA	0.75 mA	0.75 mA	0.7 mA	0.65 mA	0.65 mA	0.65 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm	15 mm

GS8342T18AE-300M

GS8342T18AE-300M概述

GS8342T18AE-300M规格参数

GS8342T18AE-300M相似产品对比

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