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BDP956-E6433

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共4页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
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BDP956-E6433概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BDP956-E6433规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压120 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.8 V
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