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BFP540FESD-E6327

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小499KB,共6页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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BFP540FESD-E6327概述

Transistor

BFP540FESD-E6327规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.08 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)50
湿度敏感等级1
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.25 W
表面贴装YES
标称过渡频率 (fT)21000 MHz

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BFP540FESD
NPN Silicon RF Transistor*
For ESD protected high gain low noise amplifier
Excellent ESD performance
typical value 1000 V (HBM)
Outstanding
G
ms
= 20 dB
Noise Figure
F
= 0.9 dB
SIEGET
45 - Line
Pb-free (ROHS compliant) package
1)
Qualified according AEC Q101
* Short term description
4
3
1
2
ESD
(Electrostatic
discharge)
sensitive device, observe handling precaution!
Type
BFP540FESD
Maximum Ratings
Parameter
Marking
AUs
1=B
Pin Configuration
2=E
3=C
4=E
Symbol
V
CEO
4.5
4
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
j
T
A
T
stg
10
10
1
80
8
250
150
Package
-
TSFP-4
Value
Unit
V
-
Collector-emitter voltage
T
A
> 0°C
T
A
0°C
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Total power dissipation
2)
T
S
80 °C
Junction temperature
Ambient temperature
Storage temperature
1
Pb-containing
2
T
mA
mW
°C
-65 ... 150
-65 ... 150
package may be available upon special request
S is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb
2010-03-12
1

BFP540FESD-E6327相似产品对比

BFP540FESD-E6327 BFP540FESD-E6433
描述 Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code unknown compliant
最大集电极电流 (IC) 0.08 A 0.08 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.25 W 0.25 W
表面贴装 YES YES
标称过渡频率 (fT) 21000 MHz 21000 MHz
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