2A, 300V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
Reach Compliance Code | _compli |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 2 A |
基于收集器的最大容量 | 220 pF |
集电极-发射极最大电压 | 300 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JEDEC-95代码 | TO-213AA |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
功耗环境最大值 | 35 W |
最大功率耗散 (Abs) | 20 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 20 MHz |
最大关闭时间(toff) | 3100 ns |
VCEsat-Max | 1.6 V |
Base Number Matches | 1 |
2N6212 | 2N6214 | |
---|---|---|
描述 | 2A, 300V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA | TRANSISTOR,BJT,PNP,400V V(BR)CEO,2A I(C),TO-66 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | _compli | _compli |
最大集电极电流 (IC) | 2 A | 2 A |
配置 | SINGLE | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 | 10 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 20 W | 20 W |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
标称过渡频率 (fT) | 20 MHz | 20 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved