SMBJP6KE9.1AE3,SMBJP6KE9.1AE3 pdf中文资料,SMBJP6KE9.1AE3引脚图,SMBJP6KE9.1AE3电路-Datasheet-电子工程世界

SMBJP6KE9.1AE3: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.78V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小561KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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SMBJP6KE9.1AE3概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.78V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

参数名称	属性值
厂商名称	Microsemi
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	9.55 V
最小击穿电压	8.65 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.38 W
最大重复峰值反向电压	7.78 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL

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