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MJE350T

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共2页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
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MJE350T概述

Transistor

MJE350T规格参数

参数名称属性值
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30
最高工作温度135 °C
极性/信道类型PNP
表面贴装NO

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

MJE350T相似产品对比

MJE350T 2SB856A 2SB856B 2SB856
描述 Transistor Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
包装说明 , FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 3 A 3 A 3 A
配置 Single SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 35 60 35
最高工作温度 135 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
表面贴装 NO NO NO NO
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 - SFM SFM SFM
针数 - 3 3 3
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
集电极-发射极最大电压 - 50 V 50 V 50 V
JEDEC-95代码 - TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 - e0 e0 e0
元件数量 - 1 1 1
端子数量 - 3 3 3
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
功耗环境最大值 - 25 W 25 W 25 W
最大功率耗散 (Abs) - 25 W 25 W 25 W
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 10 MHz 10 MHz 10 MHz
VCEsat-Max - 1.5 V 1.2 V 1.2 V
Base Number Matches - 1 1 1

 
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