RF Power Bipolar Transistor, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Advanced Semiconductor, Inc. |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A |
| 基于收集器的最大容量 | 200 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 35 V |
| 配置 | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
| 最高频带 | HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | O-CRFM-F4 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 250 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | RADIAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |

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