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MRF464

产品描述RF Power Bipolar Transistor, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小18KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRF464概述

RF Power Bipolar Transistor, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.500 INCH, FM-4

MRF464规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)10 A
基于收集器的最大容量200 pF
集电极-发射极最大电压35 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRFM-F4
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)250 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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MRF464
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF464
is Designed for 28
Volt Power Amplifier Applications up to
30 MHz.
FEATURES INCLUDE:
P
G
= 15 dB Min. @ 30MHz & 80W
Common Emitter
PACKAGE STYLE .500" 4L FLANGE
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CB
V
CE
V
EB
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
10 A
65 V
35 V
4.0 V
250 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
0.7 °C/W
1 = COLLECTOR
2 = BASE
3 & 4 = EMITTER
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CES
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
h
FE
C
OB
G
PE
η
C
T
C
= 25 C
O
TEST CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 1.0 mA
V
CE
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 28 V
V
CC
= 28 V
P
OUT
= 80 W
(
PEP
)
I
C
= 5.0 A
f = 1.0 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
65
35
4.0
10
10
15
200
200
40
UNITS
V
V
V
mA
---
pF
dB
%
f = 30.000 & 30.001 MHz
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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