SMF5.0 ... SMF220CA
SMF5.0 ... SMF220CA
SMD Transient Voltage Suppressor Diodes
SMD Spannungs-Begrenzer-Dioden
Version 2018-12-18
SOD-123FL
(~ SMF)
Typical Applications
Over-voltage protection
ESD protection
Free-wheeling diodes
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Features
Uni- and Bidirectional versions
Peak pulse power of 200 W
(10/1000 µs waveform)
Very fast response time
Low profile package
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Dimensions - Maße [mm]
Type Code = V
WM
. Cathode mark
only at unidirectional types
Type Code = V
WM
. Kathoden-
Markierung nur bei unidirektionalen
Typen
0.2
±0.1
P
PPM
= 200 W
P
M(AV)
= 1 W
T
jmax
= 150°C
V
WM
= 5.0 ... 220 V
V
BR
= 6.8 ... 260 V
0.6
1.3
+0.1
0.3
±0.25
Typische Anwendungen
Schutz gegen Überspannung
ESD-Schutz
Freilauf-Dioden
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Besonderheiten
Uni- und Bidirektionale Versionen
200 W Impuls-Verlustleistung
(10/1000 µs Strom-Impuls)
Sehr schnelle Ansprechzeit
Flache Bauform
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
3000 / 7“
0.02 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
2.8
±0.2
3.7
±0.2
1.8
Type
Code
±0.2
RoHS
Taped and reeled
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
For bidirectional types (suffix “CA”), electrical characteristics apply in both directions.
Für bidirektionale Dioden (mit Suffix “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.
Maximum ratings
2
)
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)
Peak pulse power dissipation (8/20 µs waveform)
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 8/20 µs)
Steady state power dissipation
Verlustleistung im Dauerbetrieb
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Characteristics
Max. instantaneous forward voltage
Augenblickswert der Durchlass-Spannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Typ. thermal resistance junction-ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
I
F
= 20 A
V
F
T
j
T
S
R
thA
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
T
A
= 50°C
T
A
= 25°C
60 Hz (8.3 ms)
P
PPM
P
PPM
P
M(AV)
I
FSM
Grenzwerte
2
)
200 W
3
)
1000 W
3
)
0.5 W
4
)
1.0 W
5
)
20 A
6
)
Kennwerte
< 3.5 V
5
)
-50...+150°C
-50...+150°C
180 K/W
4
)
125 K/W
5
)
1
2
3
4
5
6
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
Non-repetitive pulse see curve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve I
PP
= f (t) / P
PP
= f (t)
Mounted on P. C. board with 5x5 mm
2
copper pads – Montage auf Leiterplatte mit 5x5 mm
2
Lötpad je Anschluss
Mounted on P. C. board with 50x50 mm
2
copper pads – Montage auf Leiterplatte mit 50x50 mm
2
Lötpad je Anschluss
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden
http://www.diotec.com/
EL
V
Pb
EE
WE
© Diotec Semiconductor AG
1
SMF5.0 ... SMF220CA
Characteristics (T
j
= 25°C)
Type
Typ
unidirectional
SMF170A
SMF180A
SMF190A
SMF200A
SMF220A
bidirectional
SMF170CA
SMF180CA
SMF190CA
SMF200CA
SMF220CA
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at / bei V
WM
)
I
D
[µA]
1
1
1
1
1
Stand-off voltage
Sperrspannung
V
WM
[V]
170
180
190
200
220
Breakdown voltage at I
T
= 1 mA
Abbruch-Spannung bei I
T
= 1 mA
*) at / bei I
T
= 10 mA
V
BR
min [V]
189.0
200.0
211.0
224.0
246.0
V
BR
max [V]
209.0
220.0
232.0
247.0
272.0
Max. clamping voltage
Max. Begrenzer-Spannung
at / bei I
PPM
(10/1000 µs)
V
C
[V]
275.0
292.0
308.0
321.0
356.0
I
PPM
[A]
0,73
0,68
0,65
0,62
0,56
120
[%]
100
100
[%]
80
80
t
r
= 10 µs
100
[%]
80
t
r
= 8 µs
60
60
P
PPM
/2
I
PPM
/2
60
P
PPM
/2
I
PPM
/2
40
I
PP
20
P
PP
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
40
I
PP
20
P
PP
0
0
40
I
PP
20
P
PP
1
2
3
[ms] 4
0
0
t
P
t
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
t
P
t
20
40
60
[µs]
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
Peak pulse power/current vs. ambient temperature )
1
Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. )
10
2
[kW]
10
[pF]
unidir.
bidir.
V
R
= 0 V
1
P
PP
0.1
0.1µs
t
P
1µs
10µs
100µs
1ms
10ms
C
j
Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form)
Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls)
V
Z
[V]
Junction capacitance vs. breakdown voltage (typ.)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Abbruchspg. (typ.)
1
)
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
Mounted on P. C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
3
嵌入式系统
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
