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PDTB113ET,235

产品描述Small Signal Bipolar Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小235KB,共11页
制造商Nexperia
官网地址https://www.nexperia.com
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PDTB113ET,235概述

Small Signal Bipolar Transistor

PDTB113ET,235规格参数

参数名称属性值
厂商名称Nexperia
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)33
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

PDTB113ET,235相似产品对比

PDTB113ET,235 934058978215 PDTB113ET
描述 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
厂商名称 Nexperia Nexperia Nexperia
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 33 33 33
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 - 符合 符合
JESD-609代码 - e3 e3
湿度敏感等级 - 1 1
端子面层 - Tin (Sn) Tin (Sn)
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