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JANTX1N6642U

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, SURFACEMOUNT PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小321KB,共5页
制造商SENSITRON
官网地址http://www.sensitron.com/
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JANTX1N6642U概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.3A, 75V V(RRM), Silicon, SURFACEMOUNT PACKAGE-2

JANTX1N6642U规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SENSITRON
包装说明O-XELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码O-XELF-R2
最大非重复峰值正向电流2.5 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流0.3 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/578E
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SENSITRON
___
SEMICONDUCTOR
1N6638/US thru 1N6642/US
Standard
SWITCHING / SIGNAL
DIODES
______________________________________________________________________________________
TECHNICAL DATA
DATA SHEET 4081, REV D.2
A
V AI L AB L E AS
1 N , J AN , J AN T X , J ANT XV
JANS
JAN EQUIVALENT *
SJ*, SX*, SV*, SS*
Switching / Signal Diodes
Qualified per MIL-PRF-19500/578, /609
DESCRIPTION:
This metallurgically bonded switching/signal diode series is military qualified per MIL-PRF-
19500/578, /609 and is targeted for space, commercial and military aircraft, military vehicles,
shipboard markets and all high reliability applications.
FEATURES / BENEFITS:
Ultra fast recovery time
Metallurgically bonded
Small size, high density
Very low capacitance
Hot solder dipped
JANS available per MIL-PRF-19500/578,
/609
MAXIMUM RATINGS
Operating and Storage Temperature: -65 C to +175 C
Thermal Resistance (junction to lead):
1N6638,42: 150 C
1N6639,40,41: 160 C
Thermal Resistance (junction to endcap):
1N6638,42: 40 C (U, US)
1N6639,40,41: 50 C (US only)
Forward surge current: 35A @ 8.3 ms half-sine
o
o
o
o
o
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TYPE
NUMBER
WORKING
PEAK
REVERSE
VOLTAGE
PEAK
FORWARD
SURGE
1
CURRENT
I
FSM
Amps (pk)
55C
2.5
AVERAGE
RECTIFIED
FORWARD
CURRENT
mA
75C
300
BREAKDOWN
VOLTAGE
REVERSE
RECOVERY
TIME
I
RM
= I
F
=
10 mA
JUNCTION
CAPACITANCE
V
R
=0
1N6638/U/US
1N6639/US
1N6640/US
1N6641/US
1N6642/U/US
Volts (pk)
125
75
75
75
75
V(pk)
150
100
75
75
75
ns
4.5
4.0
4.0
5.0
5.0
pF
2.5
2.5
2.5
3.0
5.0
Note 1: 8.3ms surge, half sine wave
*Sensitron
space equivalent diodes
are manufactured and screened to MIL-PRF-19500 flow and guidelines starting
from wafer fabrication through assembly and testing using our internal specification.
©2013 Sensitron Semiconductor
221 West Industry Court
Deer Park, NY 11729-4681
Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798
www.sensitron.com
sales@sensitron.com
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