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934052310115

产品描述TRANSISTOR 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共6页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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934052310115概述

TRANSISTOR 5.9 A, 30 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

934052310115规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE, FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas)60 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)5.9 A
最大漏源导通电阻0.03 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)23.6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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