934056666127,934056666127 pdf中文资料,934056666127引脚图,934056666127电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 934056666127

934056666127: 产品描述TRANSISTOR 55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小294KB，共14页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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934056666127概述

TRANSISTOR 55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power

934056666127规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	60 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	25 V
最大漏极电流 (ID)	55 A
最大漏源导通电阻	0.018 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	220 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

934056666127相似产品对比

	934056666127	PHB55N03LTA	934056764118	934056665118
描述	TRANSISTOR 55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power	55A, 25V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3	TRANSISTOR 55 A, 25 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA, PLASTIC, SMD, SC-63, DPAK-3, FET General Purpose Power	55A, 25V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, D2PAK-3
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	PLASTIC, D2PAK-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	PLASTIC, SMD, D2PAK-3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	not_compliant	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	60 mJ	60 mJ	60 mJ	60 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	25 V	25 V	25 V	25 V
最大漏极电流 (ID)	55 A	55 A	55 A	55 A
最大漏源导通电阻	0.018 Ω	0.018 Ω	0.018 Ω	0.018 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	220 A	220 A	220 A	220 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	YES	YES
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
JESD-609代码	e3	e3	-	e3
端子面层	TIN	Matte Tin (Sn)	-	TIN

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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