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9014A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小162KB,共1页
制造商BCD Semi(Diodes)
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9014A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE-2

9014A规格参数

参数名称属性值
厂商名称BCD Semi(Diodes)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW NOISE
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码S-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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9014A
9014A Silicon NPN Epitaxial Transistor
Description
:
The 9014A is designed for use in pre-amplifier of low level and low noise
Features:
●Excellent
h
FE
Linearity
●Complementary
to 9015A
Chip Appearance
Chip Size
Chip Thickness
Bonding Pad Size
Front Metal
Backside Metal
Scribe line width
Wafer Size
Base
Emitter
330um×330um
210±20um
110um×110um
98um×98um
Al
Au(As)
45um
6 inch
Electrical Characteristics( Ta=25℃)
Characteristic
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector Saturation Voltage
Symbol
I
CBO
I
EBO
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
Test Condition
V
CB
=40V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
I
C
=0.1mA,
I
C
=1mA,
I
E
=0.1mA,
V
CE
=5V, I
C
=1mA
I
C
=100mA,I
B
=5mA
50
45
5
100
600
0.3
V
Min
Max
0.1
0.1
Unit
uA
uA
V
V
V
May.2004
Version :0.0
Page 1 of 1
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