Power Field-Effect Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Nexperia |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 58 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 55 V |
最大漏极电流 (ID) | 38 A |
最大漏源导通电阻 | 0.003 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-252 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
934056244118 | BUK7230-55A | 2225B2K00472MXBLW001 | |
---|---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor | Power Field-Effect Transistor | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 2000V, 20% +Tol, 20% -Tol, X7R, 15% TC, 0.0047uF, Surface Mount, 2225, CHIP |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | , 2225 |
Reach Compliance Code | not_compliant | _compli | compliant |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e4 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR PACKAGE |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) | SILVER |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
雪崩能效等级(Eas) | 58 mJ | 58 mJ | - |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN | - |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
最小漏源击穿电压 | 55 V | 55 V | - |
最大漏极电流 (ID) | 38 A | 38 A | - |
最大漏源导通电阻 | 0.003 Ω | 0.003 Ω | - |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
JEDEC-95代码 | TO-252 | TO-252 | - |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | - |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 150 A | 150 A | - |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | - |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
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