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CY25AAJ-8F

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, SOP-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小21KB,共2页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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CY25AAJ-8F概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, SOP-8

CY25AAJ-8F规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
集电极-发射极最大电压400 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值1.5 V
门极-发射极最大电压8 V
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用GENERAL PURPOSE SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

 
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