Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Central Semiconductor |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1.65 W |
表面贴装 | YES |
CTLDM7181-M832DTRLEADFREE | CTLDM7181-M832DBKLEADFREE | CTLDM7181-M832DTR | CTLDM7181-M832DBK | |
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描述 | Transistor | Transistor | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE TLM832D, 8 PIN | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, CASE TLM832D, 8 PIN |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | not_compliant | not_compliant |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1.65 W | 1.65 W | 1.65 W | 1.65 W |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
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