L-S BAND, 2.52pF, 90V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DIE-1
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | TE Connectivity(泰科) |
零件包装代码 | DIE |
包装说明 | X-XUUC-N |
针数 | 1 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最小击穿电压 | 90 V |
配置 | SINGLE |
二极管电容容差 | 5% |
最小二极管电容比 | 7.8 |
标称二极管电容 | 2.52 pF |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
频带 | L BAND TO S BAND |
JESD-30 代码 | X-XUUC-N |
元件数量 | 1 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | UNSPECIFIED |
封装形式 | UNCASED CHIP |
最大功率耗散 | 0.2 W |
认证状态 | Not Qualified |
最小质量因数 | 900 |
最大反向电流 | 0.02 µA |
反向测试电压 | 72 V |
表面贴装 | YES |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | UPPER |
变容二极管分类 | ABRUPT |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved